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Micron Document

<!DOCTYPE html>

<title>Transistor</title>

</head>

<h1 id="firstHeading" class="firstHeading mw-first-heading">Transistor</h1>

</header>

</div>

Le transistor est un <a href="Composant_%C3%A9lectronique" title="Composant électronique">composant électronique</a> à <a href="Semi-conducteur" title="Semi-conducteur">semi-conducteur</a> permettant de contrôler ou d'amplifier des <a href="Tension_%C3%A9lectrique" title="Tension électrique">tensions</a> et des <a href="Courant_%C3%A9lectrique" title="Courant électrique">courants électriques</a>. C'est le composant actif le plus important des <a href="Circuit_%C3%A9lectronique" title="Circuit électronique">circuits électroniques</a> aussi bien en <a href="Basse_tension" title="Basse tension">basse</a> qu'en <a href="Haute_tension" title="Haute tension">haute tension</a> : <a href="Circuit_logique" class="mw-redirect" title="Circuit logique">circuits logiques</a> (il permet, assemblé avec d'autres, d'effectuer des opérations logiques pour des programmes informatiques), <a href="Amplificateur_%C3%A9lectronique" title="Amplificateur électronique">amplificateur</a>, stabilisateur de <a href="Tension_%C3%A9lectrique" title="Tension électrique">tension</a>, <a href="Modulation_du_signal" title="Modulation du signal">modulation</a> de <a href="Signal_%C3%A9lectrique" title="Signal électrique">signal</a>, <abbr class="abbr" title="et cetera">etc.</abbr> Les transistors revêtent une importance particulière — le plus souvent en tant qu'interrupteurs marche/arrêt — dans les <a href="Circuit_int%C3%A9gr%C3%A9" title="Circuit intégré">circuits intégrés</a>, ce qui rend possible la <a href="Micro%C3%A9lectronique" title="Microélectronique">microélectronique</a>.

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Description_schématique">Description schématique</h2></div>

Les trois connexions sont appelées :

<th>transistors bipolaires

</th>

<th>symbole

</th>

<th>transistors à effet de champ

</th>

<th>symbole

</th></tr>

<tr>

<td>le <a href="Collecteur_et_%C3%A9metteur" title="Collecteur et émetteur">collecteur</a>

</td>

<td>C

</td>

<td>le <a href="Drain_et_source" title="Drain et source">drain</a>

</td>

<td>D

</td></tr>

<tr>

</td>

<td>B

</td>

<td>la <a href="Grille_de_contr%C3%B4le" title="Grille de contrôle">grille</a>

</td>

<td>G

</td></tr>

<tr>

<td>l'<a href="Collecteur_et_%C3%A9metteur" title="Collecteur et émetteur">émetteur</a>

</td>

<td>E

</td>

<td>la <a href="Drain_et_source" title="Drain et source">source</a>

</td>

<td>S

</td></tr></tbody></table>

Dans les deux types de transistors bipolaires (NPN et PNP), l'<a href="%C3%89lectrode" title="Électrode">électrode</a> traversée par l'ensemble du courant s'appelle émetteur. Le courant dans l'émetteur est égal à la somme des courants du collecteur et de la base.

La flèche identifie l'émetteur et suit le sens du courant ; elle pointe vers l'extérieur dans le cas d'un NPN, vers l'intérieur dans le cas d'un PNP. L'électrode reliée au milieu de la barre centrale figure la base et la troisième électrode figure le collecteur.

Dans le cas de l'effet de champ, la flèche disparaît, car le dispositif est symétrique (drain et source sont interchangeables). Les traits <a href="Obliques" title="Obliques">obliques</a> sont habituellement remplacés par des traits droits.

Pour le transistor MOS, la grille se détache des autres <a href="%C3%89lectrode" title="Électrode">électrodes</a>, pour indiquer l'isolation due à la présence de l'oxyde.

En réalité, il existe une quatrième connexion pour les transistors à effet de champ, le <a href="Substrat_(%C3%A9lectronique)" title="Substrat (électronique)">substrat</a> (parfois appelé bulk), qui est habituellement relié à la source, c’est-à-dire la connexion entre S et ses chemins vers D sur le schéma.

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Principe_de_fonctionnement">Principe de fonctionnement</h2></div>

Les transistors <a href="Transistor_%C3%A0_effet_de_champ" title="Transistor à effet de champ">à effet de champ</a> et <a href="Transistor_bipolaire" title="Transistor bipolaire">bipolaires</a> fonctionnent de façons très différentes.

Un transistor comporte trois <a href="%C3%89lectrode" title="Électrode">électrodes</a> actives permettant de contrôler un courant ou une tension sur l'électrode de sortie (le collecteur pour le <a href="Transistor_bipolaire" title="Transistor bipolaire">transistor bipolaire</a> et le drain sur un <a href="Transistor_%C3%A0_effet_de_champ" title="Transistor à effet de champ">transistor à effet de champ</a>) grâce à une électrode d'entrée (la base sur un transistor bipolaire et la grille pour un transistor à effet de champ). Le transistor est isolant sans tension sur la borne base, et conducteur avec une tension sur la borne base.

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Transistor_bipolaire">Transistor bipolaire</h3></div>

Le <a href="Transistor_bipolaire" title="Transistor bipolaire">transistor bipolaire</a> est un <a href="Amplificateur_%C3%A9lectronique" title="Amplificateur électronique">amplificateur</a> de courant : on injecte un courant dans l'espace base/émetteur afin de créer un courant multiplié par le <a href="Gain_(%C3%A9lectronique)" title="Gain (électronique)">gain</a> du transistor entre l'émetteur et le collecteur. Les transistors bipolaires NPN (négatif-positif-négatif), qui laissent circuler un courant de la base (+) vers l'émetteur (–), sont plus rapides et ont une meilleure tenue en tension que les transistors PNP base (–) émetteur (+), mais peuvent être produits avec des caractéristiques complémentaires par les fabricants pour les applications le nécessitant.

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Transistor_à_effet_de_champ">Transistor à effet de champ</h3></div>

L'organe de commande du <a href="Transistor_%C3%A0_effet_de_champ" title="Transistor à effet de champ">transistor à effet de champ</a> est la grille (gate en anglais). Celle-ci n'a besoin que d'une <a href="Tension_%C3%A9lectrique" title="Tension électrique">tension</a> (ou un potentiel) entre la grille et la source pour contrôler le courant entre la source et le drain. Le <a href="Courant_%C3%A9lectrique" title="Courant électrique">courant</a> de grille est nul (ou négligeable) en régime statique, puisque la grille se comporte vis-à-vis du circuit de commande comme un condensateur de faible capacité. Il existe plusieurs types de transistors à effet de champ : transistors <a href="Transistor_%C3%A0_effet_de_champ_%C3%A0_grille_m%C3%A9tal-oxyde" title="Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde">MOSFET</a> à appauvrissement, MOSFET à enrichissement (de loin les plus nombreux) et FET à jonction (<a href="Junction_Field_Effect_Transistor" title="Junction Field Effect Transistor">JFET</a>). Dans chaque famille, on peut utiliser soit un canal de type N soit de type P, ce qui fait donc en tout six types différents.

Pour les transistors à appauvrissement ainsi que les JFET, le canal drain–source est conducteur si le potentiel de grille est nul. Pour le bloquer, il faut rendre ce potentiel négatif (pour les canaux N) ou positif (pour les canaux P). Inversement, les transistors à enrichissement sont bloqués lorsque la grille a un potentiel nul. Si on polarise la grille d'un transistor N par une tension positive ou celle d'un transistor P par une tension négative, l'espace source–drain du transistor devient passant.

Chacun de ces transistors est caractérisé par une tension de seuil, correspondant à la tension de grille qui fait la transition entre le comportement bloqué du transistor et son comportement conducteur. Contrairement aux transistors bipolaires, dont la tension de seuil ne dépend que du semi-conducteur utilisé (silicium, germanium ou As-Ga), la tension de seuil des transistors à effet de champ dépend étroitement de la technologie et peut varier notablement même au sein d'un même lot. Le transistor à effet de champ à déplétion à canal N est le semi-conducteur dont les caractéristiques se rapprochent le plus des anciens tubes à vide (triodes). À puissance égale, les transistors N sont plus petits que les P. À géométrie égale, les transistors N sont également plus rapides que les P. En effet, les porteurs majoritaires dans un canal N sont les <a href="%C3%89lectron" title="Électron">électrons</a>, qui se déplacent mieux que les <a href="Trou_d'%C3%A9lectron" title="Trou d'électron">trous</a>, majoritaires dans un canal P. La conductivité d'un canal N est ainsi supérieure à celle d'un canal P de même dimension.

La plupart des <a href="Circuit_int%C3%A9gr%C3%A9" title="Circuit intégré">circuits intégrés</a> <a href="%C3%89lectronique_num%C3%A9rique" title="Électronique numérique">numériques</a> (en particulier les <a href="Microprocesseur" title="Microprocesseur">microprocesseurs</a>) utilisent la technologie <a href="Complementary_metal_oxide_semi-conductor" title="Complementary metal oxide semi-conductor">CMOS</a> qui permet d'intégrer à grande échelle (plusieurs millions) des transistors à effet de champ (à enrichissement) complémentaires (c'est-à-dire qu'on retrouve des N et des P). Pour une même fonction, l'intégration de transistors bipolaires consommerait beaucoup plus de courant. En effet, un circuit CMOS ne consomme du courant que lors des basculements. La consommation d'une porte CMOS correspond uniquement à la charge électrique nécessaire pour charger sa <a href="Capacit%C3%A9_%C3%A9lectrique" title="Capacité électrique">capacité</a> de sortie. Leur dissipation est donc quasiment nulle si la fréquence d'horloge est modérée ; cela permet le développement de circuits à piles ou batteries (téléphones ou ordinateurs portables, appareils photo…).

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Autres_types_de_transistors">Autres types de transistors</h3></div>

<ul><li><a href="Transistor_bipolaire_%C3%A0_grille_isol%C3%A9e" title="Transistor bipolaire à grille isolée">IGBT</a> (Insulated Gate Bipolar Transistor) : hybride qui a les caractéristiques d'un transistor à effet de champ en entrée et les caractéristiques d'un transistor bipolaire en sortie. Uniquement utilisé dans l'<a href="%C3%89lectronique_de_puissance" title="Électronique de puissance">électronique de puissance</a>.</li>

<li><a href="Transistor_unijonction" title="Transistor unijonction">Transistor unijonction</a> : ce transistor est utilisé pour ses caractéristiques de résistance dynamique négative, ce qui permet de réaliser simplement un oscillateur. Il n'est plus utilisé de nos jours.</li>

<li><a href="Phototransistor" class="mw-redirect" title="Phototransistor">Phototransistor</a> : c'est un transistor bipolaire, dont la jonction base–collecteur est sensible à la lumière. Par rapport à une <a href="Photodiode" title="Photodiode">photodiode</a>, il est plus sensible, car il bénéficie de l'effet amplificateur propre au transistor.</li>

<li>L'<a href="Photocoupleur" title="Photocoupleur">opto-isolateur</a> : le phototransistor est monté dans le même boîtier qu'une <a href="Diode_%C3%A9lectroluminescente" title="Diode électroluminescente">diode électroluminescente</a>. C'est la lumière qui assure la transmission des signaux entre le phototransistor et la diode électroluminescente. Le pouvoir d'isolation très élevé (de l'ordre de 5 <abbr class="abbr" title="kilovolt">kV</abbr>) en fait le composant idéal pour <a href="Isolation_galvanique" title="Isolation galvanique">isoler galvaniquement</a> un circuit de commande, d'un circuit de puissance. Il existe aussi des opto-isolateurs utilisant d'autres composants en sortie tels le <a href="Thyristor" title="Thyristor">thyristor</a>, le <a href="Triac" title="Triac">triac</a>.</li></ul>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Étymologie">Étymologie</h2></div>

Le terme transistor provient de l'<a href="Anglais" title="Anglais">anglais</a> transfer resistor (résistance de transfert). Il a été sélectionné par un comité directeur de vingt-six personnes[source insuffisante]<a href="#cite_note-:0-1">[1]</a> des <a href="Laboratoires_Bell" title="Laboratoires Bell">Bell Labs</a> le <time class="nowrap" datetime="1948-05-28" data-sort-value="1948-05-28">28 mai 1948</time><a href="#cite_note-2">[2]</a>, parmi les noms proposés suivants : semiconductor triode, surface states triode, crystal triode, solid triode, iotatron, transistor. Pour des raisons commerciales, il fallait un nom court, sans équivoque avec la technologie des tubes électroniques, et le mot Transistor fut retenu<a href="#cite_note-3">[3]</a>[source insuffisante],<a href="#cite_note-:0-1">[1]</a>.

Ce nom correspond à la fonction de résistance électrique pouvant être commandée par une tension ou un courant électrique.

Par <a href="M%C3%A9tonymie" title="Métonymie">métonymie</a>, le terme « transistor » désigne souvent les <a href="R%C3%A9cepteur_radio" title="Récepteur radio">récepteurs radio</a> équipés de transistors (originellement appelés poste à transistors).

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Historique">Historique</h2></div>

À la suite des travaux sur les <a href="Semi-conducteurs" class="mw-redirect" title="Semi-conducteurs">semi-conducteurs</a>, le transistor bipolaire a été réalisé pour la première fois le <time class="nowrap" datetime="1947-12-23" data-sort-value="1947-12-23">23 décembre 1947</time> par les <a href="%C3%89tats-Unis" title="États-Unis">américains</a> <a href="John_Bardeen" title="John Bardeen">John Bardeen</a>, <a href="William_Shockley" title="William Shockley">William Shockley</a> et <a href="Walter_Houser_Brattain" title="Walter Houser Brattain">Walter Brattain</a>, chercheurs des <a href="Laboratoires_Bell" title="Laboratoires Bell">Laboratoires Bell</a><a href="#cite_note-4">[note 1]</a>. Ces chercheurs ont reçu pour cette invention le <a href="Prix_Nobel_de_physique" title="Prix Nobel de physique">prix Nobel de physique</a> en <a href="1956" title="1956">1956</a><a href="#cite_note-5">[4]</a>.

<a href="Herbert_Matar%C3%A9" title="Herbert Mataré">Herbert Mataré</a> et <a href="Heinrich_Welker" title="Heinrich Welker">Heinrich Welker</a>, deux <a href="Physicien" title="Physicien">physiciens</a> allemands, ont aussi développé parallèlement et indépendamment le « transistor français » en juin 1948 alors qu'ils travaillaient à la Compagnie des Freins et Signaux à Paris<a href="#cite_note-:1-6">[5]</a>. Ils déposent leur première demande de brevets pour un transistor le <time class="nowrap" datetime="1948-08-13" data-sort-value="1948-08-13">13 août 1948</time>. Les études menées par les commissaires montrent qu'ils ne se sont pas appuyés sur l'annonce du transistor du laboratoire américain mais qu'ils ont bien eu l'idée en même temps<a href="#cite_note-:1-6">[5]</a>. Le <time class="nowrap" datetime="1949-05-18" data-sort-value="1949-05-18">18 mai 1949</time>, cette invention européenne est présentée par la presse au public sous le nom de « Transistron »<a href="#cite_note-7">[6]</a>,<a href="#cite_note-8">[7]</a>. L'objectif est alors de conquérir le marché mondial en premier. À l'époque, la presse technique donne l'avantage au transistron considéré plus résistant et plus stable<a href="#cite_note-:1-6">[5]</a>. Néanmoins le gouvernement français étant focalisé sur la technologie nucléaire, le transistron est mis à l'écart et perd son avantage face au transistor<a href="#cite_note-:1-6">[5]</a>. En 1952, Herbert Mataré crée l'entreprise Intermetall qui est la première à produire des transistors et qui atteindra son apogée un an plus tard avec la présentation de la première radio à transistor un an avant celle de <a href="Texas_Instruments" title="Texas Instruments">Texas Instruments</a>. En 1954, Texas Instruments met au point son prototype de poste radio à transistor qui sera industrialisé par la société IDEA (Industrial Development Engineering Associates)<a href="#cite_note-:2-9">[8]</a>.

Avant cela, Herbert Mataré avait déjà approché l'effet transistor alors qu'il travaillait pour l'armée allemande durant la seconde guerre mondiale dans le but d'<a href="Technologie_pendant_la_Seconde_Guerre_mondiale" title="Technologie pendant la Seconde Guerre mondiale">améliorer les radars</a>. L'urgence de la guerre l'empêcha de se pencher davantage sur le sujet et il qualifia ce phénomène d'« <a href="Interf%C3%A9rence" title="Interférence">interférences</a> ». Lorsque la Russie reprit le village où il travaillait en Pologne, Herbert Mataré dut brûler toutes ses notes de peur qu'elles ne tombent entre les mains de l’ennemi[réf. nécessaire]<a href="#cite_note-:1-6">[5]</a>.

Le transistor est considéré comme un énorme progrès face au <a href="Tube_%C3%A9lectronique" title="Tube électronique">tube électronique</a> : beaucoup plus petit, plus léger et plus robuste, fonctionnant avec des tensions faibles, autorisant une alimentation par piles, il fonctionne presque instantanément une fois mis sous tension, contrairement aux tubes électroniques qui demandaient une dizaine de secondes de chauffage, généraient une consommation importante et nécessitaient une source de tension élevée (plusieurs centaines de <a href="Volt" title="Volt">volts</a>).

Une fois le transistor découvert, l'ouverture au grand public ne fut pas immédiate. La première application du transistor fut, pour la radio, en 1954<a href="#cite_note-10">[9]</a>, soit 7 ans après la découverte du transistor. La première radio à transistor commercialisée était le Regency TR-1 <a href="https://en.wikipedia.org/wiki/Regency_TR-1" class="extiw external" title="en:Regency TR-1">(en)</a>. Mais à partir de ce moment son influence sur la société augmenta de façon exponentielle, en particulier chez les scientifiques et les industriels. En effet, à partir du milieu des années 1950, on commence à utiliser le transistor dans les <a href="Ordinateur" title="Ordinateur">ordinateurs</a>, les rendant assez fiables et relativement petits pour leur commercialisation. À partir de 1957, <a href="IBM" title="IBM">IBM</a> construisait tous les nouveaux ordinateurs avec des transistors au lieu des tubes à vide<a href="#cite_note-:2-9">[8]</a>.

Après l'invention du <a href="Circuit_int%C3%A9gr%C3%A9" title="Circuit intégré">circuit intégré</a> en 1958, groupant en un petit volume plusieurs transistors et composants, en 1969 est inventé le <a href="Microprocesseur" title="Microprocesseur">microprocesseur</a>, permettant à des milliers de transistors de fonctionner en harmonie sur un support, ce qui est encore une fois une révolution pour l'informatique moderne<a href="#cite_note-11">[10]</a>. L'<a href="Intel_4004" title="Intel 4004">Intel 4004</a>, sorti en mars 1971 et commandité par <a href="Busicom" title="Busicom">Busicom</a>, intègre 2 250 transistors et exécute 60 000 opérations par seconde<a href="#cite_note-:2-9">[8]</a>.

De nos jours, le transistor est omniprésent dans la plupart des appareils de notre quotidien. Le nombre de transistors dans un microprocesseur a considérablement augmenté pendant que sa taille diminuait, suivant en cela la <a href="Loi_de_Moore" title="Loi de Moore">loi de Moore</a> prédisant durant plusieurs décennies un doublement du nombre de transistors des microprocesseurs, donc un doublement de la puissance de calcul de ces derniers, tous les 18-24 mois. Au <time class="nowrap" datetime="2023-03-24" data-sort-value="2023-03-24">24 mars 2023</time>, date du décès de Gordon Moore, la plus grande intégration pour une puce commerciale combinant CPU, GPU et moteur neuronaux est de 114 milliards de transistors pour environ 864 mm2<a href="#cite_note-12">[11]</a>. Elle est de 2 600 milliards de transistors pour une super-puce de type "<a href="https://en.wikipedia.org/wiki/Wafer-scale_integration" class="extiw external" title="en:Wafer-scale integration">wafer-scale intégration</a>" (interconnexion de toutes les puces d'une même galette). Le transistor a contribué au développement d'une grande variété de domaines<a href="#cite_note-13">[12]</a>. Il est présent dans tout ce qui contient un tant soit peu d'électronique, de notre cafetière à nos voitures en passant par nos smartphones ou les feux de signalisation. Dès qu'il y a un choix plus complexe que ouvert/fermé dans un appareil électronique, un transistor entre en jeu<a href="#cite_note-14">[13]</a>.

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Classification">Classification</h2></div>

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Transistor_bipolaire_2">Transistor bipolaire</h3></div>

Un transistor bipolaire est un dispositif électronique à base de semi-conducteur dont le principe de fonctionnement est basé sur deux <a href="Jonction_P-N" class="mw-redirect" title="Jonction P-N">jonctions PN</a>, l'une en direct et l'autre en inverse.

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Transistor_à_effet_de_champ_2">Transistor à effet de champ</h3></div>

Contrairement au transistor bipolaire, la grille agit par « effet de champ » (d'où son nom) et non par passage d'un courant électrique.

Parmi les transistors à effet de champ (ou FET, pour Field Effect Transistor), on peut distinguer les familles suivantes :

<ul><li>transistors <a href="Transistor_%C3%A0_effet_de_champ_%C3%A0_grille_m%C3%A9tal-oxyde" title="Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde">MOSFET</a> : ils utilisent les propriétés des structures Métal/Oxyde/Semi-conducteur ;</li>

<li><a href="Junction_Field_Effect_Transistor" title="Junction Field Effect Transistor">transistors JFET</a> : ils utilisent les propriétés des jonctions PN.</li></ul>

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Transistor_à_unijonction">Transistor à unijonction</h3></div>

Le transistor dit à unijonction n'est quasiment plus utilisé, mais servait à créer des <a href="Oscillation_de_relaxation" title="Oscillation de relaxation">oscillateurs à relaxation</a>.

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Technologie_hybride">Technologie hybride</h3></div>

L'<a href="Transistor_bipolaire_%C3%A0_grille_isol%C3%A9e" title="Transistor bipolaire à grille isolée">IGBT</a> est un composant hybride bipolaire et de MOSFET, principalement utilisé en <a href="%C3%89lectronique_de_puissance" title="Électronique de puissance">électronique de puissance</a>.

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Applications">Applications</h3></div>

Les deux principaux types de transistors permettent de répondre aux besoins de l'électronique <a href="Analogique" title="Analogique">analogique</a> et <a href="Num%C3%A9rique" title="Numérique">numérique</a> mais aussi à ceux de l'<a href="%C3%89lectronique_de_puissance" title="Électronique de puissance">électronique de puissance</a> et <a href="Haute_tension" title="Haute tension">haute tension</a>.

<ul><li>La technologie bipolaire est plutôt utilisée en analogique et en électronique de puissance.</li>

<li>Les technologies <a href="Transistor_%C3%A0_effet_de_champ" title="Transistor à effet de champ">FET</a> et <a href="Complementary_metal_oxide_semi-conductor" title="Complementary metal oxide semi-conductor">CMOS</a> sont principalement utilisées en électronique numérique (réalisation d'opérations logiques). Ils peuvent être utilisés pour faire des blocs analogiques dans des circuits numériques (régulateur de tension par exemple). Ils sont aussi utilisés pour faire des commandes de puissance (moteurs) et pour l'électronique haute tension (automobile). Leurs caractéristiques s'apparentent plus à celles des tubes électroniques.</li></ul>

Un mélange des deux technologies est utilisé chez les <a href="Transistor_bipolaire_%C3%A0_grille_isol%C3%A9e" title="Transistor bipolaire à grille isolée">IGBT</a>.

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Constitution">Constitution</h2></div>

Les <a href="Substrat_(%C3%A9lectronique)" title="Substrat (électronique)">substrats</a> utilisés sont le <a href="Germanium" title="Germanium">germanium</a> (série AC, aujourd'hui obsolète), le <a href="Silicium" title="Silicium">silicium</a>, l'<a href="Ars%C3%A9niure_de_gallium" title="Arséniure de gallium">arséniure de gallium</a>, le <a href="Silicium-germanium" title="Silicium-germanium">silicium-germanium</a> et plus récemment le <a href="Carbure_de_silicium" title="Carbure de silicium">carbure de silicium</a>, le <a href="Nitrure_de_gallium" title="Nitrure de gallium">nitrure de gallium</a>, l'<a href="Antimoniure_d'indium" title="Antimoniure d'indium">antimoniure d'indium</a>. Le <time class="nowrap" datetime="1954-05-10" data-sort-value="1954-05-10">10 mai 1954</time>, <a href="Texas_Instruments" title="Texas Instruments">Texas Instruments</a> sort le premier transistor au silicium<a href="#cite_note-:2-9">[8]</a>.

Pour la grande majorité des applications, on utilise le silicium alors que les matériaux plus exotiques tels que l'<a href="Ars%C3%A9niure_de_gallium" title="Arséniure de gallium">arséniure de gallium</a> et le nitrure de gallium sont plutôt utilisés pour réaliser les transistors <a href="Hyperfr%C3%A9quences" class="mw-redirect" title="Hyperfréquences">hyperfréquences</a>.

<ul><li>Un transistor bipolaire se compose de deux parties de substrat semiconducteur <a href="Dopage_(semi-conducteur)" title="Dopage (semi-conducteur)">dopées</a> identiquement (P ou N) séparées par une mince tranche de semiconducteur dopée inversement ; on a ainsi deux types : N-P-N et P-N-P.</li>

<li>Le transistor à effet de champ à jonction classiquement se compose d'un barreau de semiconducteur dopé N (ou P), et entouré en son milieu d'un anneau de semiconducteur dopé inversement P (ou N). On parle de FET à canal N ou P suivant le dopage du barreau.</li>

<li>Le transistor à effet de champ <a href="Transistor_%C3%A0_effet_de_champ_%C3%A0_grille_m%C3%A9tal-oxyde" title="Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde">MOS</a> se compose d'un barreau de semiconducteur P ou N sur lequel on fait croître par <a href="%C3%89pitaxie" title="Épitaxie">épitaxie</a> une mince couche d'isolant (<a href="Dioxyde_de_silicium" title="Dioxyde de silicium">dioxyde de silicium</a> par exemple), laquelle est surmontée d'une électrode métallique.</li></ul>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Évolution,_prospective">Évolution, prospective</h2></div>

Les premiers transistors utilisaient le <a href="Germanium" title="Germanium">germanium</a> comme <a href="Semi-conducteur" title="Semi-conducteur">semi-conducteur</a>. Ce matériau, de nouveau utilisé pour certaines applications, a vite été remplacé par le <a href="Silicium" title="Silicium">silicium</a> plus résistant, plus souple d'emploi, moins sensible à la température. Il existe aussi des transistors à l'<a href="Ars%C3%A9niure_de_gallium" title="Arséniure de gallium">arséniure de gallium</a> utilisés en particulier dans le domaine des <a href="Micro-onde" title="Micro-onde">hyperfréquences</a>.

Les transistors à effet de champ sont principalement utilisés en <a href="Amplificateur_%C3%A9lectronique" title="Amplificateur électronique">amplification</a> grand gain de <a href="Signal_%C3%A9lectrique" title="Signal électrique">signal</a> de faible amplitude, <a href="Tr%C3%A8s_basse_tension" title="Très basse tension">très basse tension</a>. Ils sont très sensibles aux décharges <a href="%C3%89lectrostatique" title="Électrostatique">électrostatiques</a>.

Les évolutions technologiques ont donné les transistors ou <a href="Commutateur_(%C3%A9lectronique)" title="Commutateur (électronique)">commutateurs</a> <a href="Transistor_%C3%A0_effet_de_champ_%C3%A0_grille_m%C3%A9tal-oxyde" title="Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde">MOS</a> de puissance, ils sont de plus en plus utilisés dans toutes les applications de commutation de forte puissance (classe D), <a href="Basse_tension" title="Basse tension">basse tension</a>, vu qu'ils n'ont presque plus de <a href="R%C3%A9sistance_(%C3%A9lectricit%C3%A9)" title="Résistance (électricité)">résistance</a> de drain contrairement aux transistors, ils ne s'échauffent pas et n'ont donc pas besoin de refroidissement (radiateurs).

Le <a href="Graph%C3%A8ne" title="Graphène">graphène</a>, nouveau matériau très prometteur et performant, pourrait remplacer le silicium dans les transistors de future génération et permettre de prolonger la <a href="Loi_de_Moore" title="Loi de Moore">loi de Moore</a> en termes de miniaturisation des transistors pour la microélectronique et la nanoélectronique de nouvelle génération<a href="#cite_note-2dim2021-15">[14]</a>,<a href="#cite_note-16">[15]</a>,<a href="#cite_note-17">[16]</a>.

<dl><dt>Vers des transistors ultra-fins (bidimensionnels)<a href="#cite_note-2dim2021-15">[14]</a> ?</dt></dl>

On a réussi à produire des transistors au <a href="Disulfure_de_molybd%C3%A8ne" title="Disulfure de molybdène">disulfure de molybdène</a> (MoS2) atomiquement minces<a href="#cite_note-18">[17]</a>, mais la miniaturisation restait difficile<a href="#cite_note-19">[18]</a>. Récemment (en 2022) des transistors MoS2 à paroi latérale à canal atomiquement mince et dotés d'une longueur de grille physique de moins de 1 nm ont été produits sur le bord d'une couche de graphène utilisée comme électrode de grille, grâce à des films de graphène et de MoS2 développés par dépôt chimique en phase vapeur pour la fabrication de transistors à paroi latérale sur une tranche de 2 pouces<a href="#cite_note-20">[19]</a>.

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Emploi">Emploi</h2></div>

Sauf dans le domaine des fortes puissances, il est devenu rare de n'avoir qu'un seul transistor dans un boîtier (pour les fortes puissances, on optera pour un montage <a href="Transistor_Darlington" title="Transistor Darlington">Darlington</a>, permettant d'obtenir un gain en courant plus important).

Les <a href="Circuit_int%C3%A9gr%C3%A9" title="Circuit intégré">circuits intégrés</a> ont permis d'en interconnecter d'abord des milliers, puis des millions. L'intégration de plus d'un milliard de transistors sur un seul composant a été atteinte en <time class="nowrap" datetime="2008-06" data-sort-value="2008-06">juin 2008</time> par <a href="Nvidia" title="Nvidia">Nvidia</a> avec la puce GT200. Cette puce, utilisée comme <a href="Processeur_graphique" title="Processeur graphique">processeur graphique</a> (GPU), atteint 1,4 milliard de transistors <a href="Gravure_(microfabrication)" title="Gravure (microfabrication)">gravés</a> en 65 nanomètres, sur une surface d'environ 600 <abbr class="abbr" title="millimètre carré">mm2</abbr>.

Ces circuits intégrés servent à réaliser des <a href="Microprocesseur" title="Microprocesseur">microprocesseurs</a>, des <a href="M%C3%A9moire_(informatique)" title="Mémoire (informatique)">mémoires</a> et la plupart des <a href="Composant_actif" class="mw-redirect" title="Composant actif">composants actifs</a>.

<caption>Évolution du nombre de transistors intégrés dans un microprocesseur

</caption>

<td>

<a href="Microprocesseur" title="Microprocesseur">Processeurs</a> grand public (CPU) :

<li><a href="1989" title="1989">1989</a> : <a href="Intel_80486" title="Intel 80486">80486</a> : 1,16 million</li>

<li><a href="1993" title="1993">1993</a> : <a href="Pentium_(microprocesseur)" class="mw-redirect" title="Pentium (microprocesseur)">Pentium/Pentium MMX</a> : 3,1 millions</li>

<li><a href="1995" title="1995">1995</a> : <a href="Pentium_Pro" title="Pentium Pro">Pentium Pro</a> : 5,5 millions</li>

<li><a href="1997" title="1997">1997</a> : <a href="Pentium_II" title="Pentium II">Pentium II</a> : 27 millions</li>

<li><a href="1997" title="1997">1997</a> : <a href="AMD_K6" title="AMD K6">K6</a> : 8,8 millions</li>

<li><a href="1998" title="1998">1998</a> : <a href="AMD_K6-2" title="AMD K6-2">K6-II</a> : 9,3 millions</li>

<li><a href="1999" title="1999">1999</a> : <a href="Athlon" title="Athlon">Athlon</a> : 37 millions</li>

<li><a href="2001" title="2001">2001</a> : <a href="Pentium_4" title="Pentium 4">Pentium 4 HT</a> : 42 millions</li>

<li><a href="2001" title="2001">2001</a> : <a href="Athlon" title="Athlon">Athlon XP</a>-<a href="Duron" title="Duron">Duron</a> Palomino/Thoroughbred/Thorton/Barton-Spitfire/Morgan/Applebred : 37,2 millions</li>

<li><a href="2003" title="2003">2003</a> : <a href="Athlon_64" title="Athlon 64">Athlon 64</a> ClawHammer : 105,9 millions</li>

<li><a href="2004" title="2004">2004</a> : <a href="Pentium_Extreme_Edition" title="Pentium Extreme Edition">Pentium Extreme Edition</a> : 169 millions</li>

<li><a href="2004" title="2004">2004</a> : <a href="Athlon_64" title="Athlon 64">Athlon 64</a> Newcastle : 68,5 millions</li>

<li><a href="2004" title="2004">2004</a> : <a href="Athlon_64" title="Athlon 64">Athlon 64</a> Winchester : 77 millions</li>

<li><a href="2005" title="2005">2005</a> : <a href="Athlon_64" title="Athlon 64">Athlon 64</a> Venice : 76 millions</li>

<li><a href="2005" title="2005">2005</a> : <a href="Athlon_64" title="Athlon 64">Athlon 64</a>/<a href="Athlon_64_X2" title="Athlon 64 X2">Athlon 64 X2</a> Manchester/Toledo : 233 millions</li>

<li><a href="2006" title="2006">2006</a> : <a href="Intel_Core_2" title="Intel Core 2">Core 2 Duo</a> : 291 millions</li>

<li><a href="2006" title="2006">2006</a> : <a href="Intel_Core_2" title="Intel Core 2">Core 2 Quad</a> : 582 millions</li>

<li><a href="2006" title="2006">2006</a> : <a href="Athlon_64" title="Athlon 64">Athlon 64</a>/<a href="Athlon_64_X2" title="Athlon 64 X2">Athlon 64 X2</a> Windsor : 227 millions</li>

<li><a href="2006" title="2006">2006</a> : <a href="Athlon_64_X2" title="Athlon 64 X2">Athlon 64 X2</a>/<a href="Athlon_64_X2" title="Athlon 64 X2">Athlon X2</a>/<a href="AMD_Sempron" title="AMD Sempron">Sempron</a> Brisbane : 221 millions</li>

<li><a href="2008" title="2008">2008</a> : <a href="Intel_Core_i7" title="Intel Core i7">Core i7</a> <a href="Bloomfield_(microprocesseur)" title="Bloomfield (microprocesseur)">Bloomfield</a> : 730 millions</li>

<li><a href="2008" title="2008">2008</a> : <a href="AMD_Phenom" title="AMD Phenom">Phenom</a> X4/X3/<a href="Athlon_64_X2" title="Athlon 64 X2">Athlon X2</a> Agena/Toliman/Kuma : 450 millions</li>

<li><a href="2009" title="2009">2009</a> : Intel Core i7/i5 <a href="Lynnfield" title="Lynnfield">Lynnfield</a> : 774 millions</li>

<li><a href="2010" title="2010">2010</a> : Core i5/i3/Pentium G <a href="Clarkdale_(microprocesseur)" title="Clarkdale (microprocesseur)">Clarkdale</a> : 382 millions</li>

<li><a href="2010" title="2010">2010</a> : <a href="Intel_Core_i7" title="Intel Core i7">Core i7</a> <a href="Gulftown" title="Gulftown">Gulftown</a> : 1,17 milliard</li>

<li><a href="2010" title="2010">2010</a> : <a href="Phenom_II" class="mw-redirect" title="Phenom II">Phenom II</a> X4/X3/X2-<a href="Athlon_II" class="mw-redirect" title="Athlon II">Athlon II</a> X4/X3/X2 : Deneb/Heka/Callisto-Propus/Rana/Regor : 758 millions</li>

<li><a href="2011" title="2011">2011</a> : Core i7/i5/i3/Pentium G <a href="Sandy_Bridge" title="Sandy Bridge">Sandy Bridge</a> : 1,16 milliard (i7 et i5) - 504 millions (i3 et Pentium G)</li>

<li><a href="2012" title="2012">2012</a> : <a href="Core_i7" class="mw-redirect" title="Core i7">Core i7</a> <a href="Sandy_Bridge" title="Sandy Bridge">Sandy Bridge-E</a> : 2,27 milliards</li>

<li><a href="2012" title="2012">2012</a> : Core i7/i5/i3/Pentium G Ivy Bridge : 1,40 milliard</li>

<li><a href="2012" title="2012">2012</a> : <a href="AMD_FX" title="AMD FX">FX-4100/6100/8100</a> <a href="Bulldozer_(microarchitecture)" title="Bulldozer (microarchitecture)">Bulldozer/Zambezi</a> : 1,20 milliard</li>

<li><a href="2012" title="2012">2012</a> : <a href="AMD_FX" title="AMD FX">FX-4300/6300/8300</a> Bulldozer/Vishera : 1,20 milliard</li>

<li><a href="2013" title="2013">2013</a> : <a href="AMD_FX" title="AMD FX">FX-9590</a> Bulldozer/Vishera : 1,6 milliard</li>

<li><a href="2014" title="2014">2014</a> : <a href="Intel_Core_i7" title="Intel Core i7">Core i7</a> <a href="Haswell_(microarchitecture)" title="Haswell (microarchitecture)">Haswell</a> : 2,6 milliards</li>

<li><a href="2020" title="2020">2020</a> : <a href="Apple_M1" title="Apple M1">Apple M1</a> : 16 milliards</li>

<li><a href="2021" title="2021">2021</a> : <a href="Apple_A16_Bionic" title="Apple A16 Bionic">Apple A16 Bionic</a> : 16 milliards</li>

<li><a href="2021" title="2021">2021</a> : <a href="Apple_M1_Max" title="Apple M1 Max">Apple M1 Max</a> : 57 milliards</li>

<li><a href="2022" title="2022">2022</a> : <a href="Apple_M1_Ultra" title="Apple M1 Ultra">Apple M1 Ultra</a> : 114 milliards (2 puces)</li>

<li><a href="2023" title="2023">2023</a> : <a href="Raptor_Lake" title="Raptor Lake">Intel Core i9-13900KS</a> (<a href="Raptor_Lake" title="Raptor Lake">Raptor Lake</a> S) : 14,2 milliards</li>

<li><a href="2023" title="2023">2023</a> : <a href="Ryzen" title="Ryzen">AMD Ryzen 9 7950X3D</a> (<a href="Ryzen" title="Ryzen">Zen 4</a> (Raphaël)) : 13,14 milliards</li>

<li><a href="2023" title="2023">2023</a> : <a href="Apple_M2" title="Apple M2">Apple M2</a> Max : 67 milliards</li></ul>

Domaine <a href="Processeur_graphique" title="Processeur graphique">graphique</a> et calcul parallèle (GPU) :

<ul><li><a href="1997" title="1997">1997</a> : SST-1 (<a href="3dfx" title="3dfx">3dfx</a> Voodoo 1) : 1 million</li>

<li><a href="1998" title="1998">1998</a> : SST-2 (3dfx Voodoo 2) : 4 millions</li>

<li><a href="1998" title="1998">1998</a> : NV4 (Nvidia TNT) : 7 millions</li>

<li><a href="1998" title="1998">1998</a> : <a href="ATI_Rage#RAGE_128" title="ATI Rage">Rage 5</a> (ATI Rage 128) : 8 millions</li>

<li><a href="1999" title="1999">1999</a> : NV5 (Nvidia TNT2) : 15 millions</li>

<li><a href="1999" title="1999">1999</a> : <a href="Avenger" class="mw-disambig" title="Avenger">Avenger</a> (3dfx Voodoo 3) : 3 millions</li>

<li><a href="1999" title="1999">1999</a> : G4+ (Matrox Millenium) : 9 millions</li>

<li><a href="1999" title="1999">1999</a> : <a href="GeForce#GeForce_256" title="GeForce">NV10</a> (Nvidia GeForce 256) : 23 millions</li>

<li><a href="2000" title="2000">2000</a> : <a href="GeForce#GeForce_2" title="GeForce">NV15</a> (Nvidia GeForce 2) : 25 millions</li>

<li><a href="2000" title="2000">2000</a> : <a href="Radeon_R100" title="Radeon R100">R100</a> (ATI Radeon 7500) : 30 millions</li>

<li><a href="2000" title="2000">2000</a> : VSA-100 (3dfx Voodoo 4/5) : 14 millions</li>

<li><a href="2001" title="2001">2001</a> : <a href="GeForce#GeForce_3" title="GeForce">NV20</a> (Nvidia GeForce 3 Ti) : 57 millions</li>

<li><a href="2001" title="2001">2001</a> : <a href="Radeon_R200" title="Radeon R200">R200</a> (ATI Radeon 8500) : 60 millions</li>

<li><a href="2003" title="2003">2003</a> : <a href="GeForce#GeForce_4_Ti" title="GeForce">NV28</a> (Nvidia GeForce 4 Ti) : 63 millions</li>

<li><a href="2003" title="2003">2003</a> : <a href="Radeon_R300" title="Radeon R300">R360</a> (ATI Radeon 9800) : 115 millions</li>

<li><a href="2003" title="2003">2003</a> : <a href="GeForce#GeForce_5_FX" title="GeForce">NV35</a> (Nvidia GeForce FX5900) : 135 millions</li>

<li><a href="2004" title="2004">2004</a> : <a href="Radeon_R400" title="Radeon R400">R480</a> (ATI Radeon X850) : 160 millions</li>

<li><a href="2004" title="2004">2004</a> : <a href="GeForce#GeForce_6" title="GeForce">NV40</a> (Nvidia GeForce 6800) : 222 millions</li>

<li><a href="2005" title="2005">2005</a> : <a href="GeForce#GeForce_7" title="GeForce">G71</a> (Nvidia GeForce 7900) : 278 millions</li>

<li><a href="2005" title="2005">2005</a> : <a href="Radeon_R580" title="Radeon R580">R580</a> (ATI Radeon X1950) : 384 millions</li>

<li><a href="2006" title="2006">2006</a> : <a href="GeForce#GeForce_8" title="GeForce">G80</a> (Nvidia GeForce 8800) : 681 millions</li>

<li><a href="2006" title="2006">2006</a> : <a href="GeForce#GeForce_8" title="GeForce">G92</a> (Nvidia GeForce 9800) : 754 millions</li>

<li><a href="2006" title="2006">2006</a> : <a href="Radeon_R600" title="Radeon R600">R600</a> (ATI Radeon HD2900) : 700 millions</li>

<li><a href="2007" title="2007">2007</a> : <a href="Radeon_R600" title="Radeon R600">RV670</a> (ATI Radeon HD3800) : 666 millions</li>

<li><a href="2007" title="2007">2007</a> : <a href="POWER6" title="POWER6">POWER6</a> (<a href="IBM" title="IBM">IBM</a>) : 291 millions</li>

<li><a href="2008" title="2008">2008</a> : <a href="GeForce#GeForce_200_Series" title="GeForce">GT200</a> (Nvidia GeForce GTX200) : 1,40 milliard</li>

<li><a href="2008" title="2008">2008</a> : <a href="Radeon_R700" title="Radeon R700">RV770</a> (ATI Radeon HD4800) : 956 millions</li>

<li><a href="2009" title="2009">2009</a> : <a href="Radeon_R800" title="Radeon R800">RV870</a> (ATI Radeon HD5800/5900) : 2,154 milliards</li>

<li><a href="2010" title="2010">2010</a> : <a href="Fermi_(microarchitecture)" title="Fermi (microarchitecture)">GF100</a> (Nvidia GeForce GTX400) : 3,00 milliards</li>

<li><a href="2011" title="2011">2011</a> : <a href="Radeon_R900" title="Radeon R900">RV970</a> (ATI Radeon HD6900) : 2,64 milliards</li>

<li><a href="2011" title="2011">2011</a> : <a href="Fermi_(microarchitecture)" title="Fermi (microarchitecture)">GF110</a> (Nvidia GeForce GTX500 : 3,00 milliards</li>

<li><a href="2012" title="2012">2012</a> : <a href="Radeon_HD7000" class="mw-redirect" title="Radeon HD7000">RV1070</a> (ATI Radeon HD7900) : 4,313 milliards</li>

<li><a href="2012" title="2012">2012</a> : <a href="Kepler_(microarchitecture)" title="Kepler (microarchitecture)">GK104</a> (Nvidia GeForce GTX600) : 3,54 milliards</li>

<li><a href="2013" title="2013">2013</a> : <a href="Kepler_(microarchitecture)" title="Kepler (microarchitecture)">GK110</a> (Nvidia GeForce GTX Titan et 780 Ti) : 7,10 milliards</li>

<li><a href="2014" title="2014">2014</a> : <a href="Radeon_Rx_200" title="Radeon Rx 200">Hawaii</a> (AMD Radeon R9 290X) : 6,2 milliards</li>

<li><a href="2014" title="2014">2014</a> : <a href="Maxwell_(microarchitecture)" title="Maxwell (microarchitecture)">GM204</a> (Nvidia GTX 980) : 5,2 milliards</li>

<li><a href="2015" title="2015">2015</a> : <a href="Maxwell_(microarchitecture)" title="Maxwell (microarchitecture)">GM200</a> (Nvidia GTX 980 Ti) : 8 milliards</li>

<li><a href="2016" title="2016">2016</a> : <a href="Pascal_(microarchitecture)" title="Pascal (microarchitecture)">GP102</a> (Nvidia GTX Titan X) : 12 milliards</li>

<li><a href="2019" title="2019">2019</a> : <a href="Turing_(microarchitecture)" title="Turing (microarchitecture)">TU102</a> (Nvidia RTX Titan) : 18,6 milliards</li>

<li><a href="2020" title="2020">2020</a> : <a href="Ampere_(microarchitecture)" title="Ampere (microarchitecture)">GA102</a> (Nvidia RTX 3080) : 28,3 milliards<a href="#cite_note-21">[20]</a></li>

<li><a href="2022" title="2022">2022</a> : <a href="Ada_Lovelace_(microarchitecture)" title="Ada Lovelace (microarchitecture)">AD102</a> (Nvidia GeForce 40 series) : 76,3 milliards</li>

<li><a href="2023" title="2023">2023</a> : <a href="Radeon#Radeon_RX_7000_(2022)" title="Radeon">Navi 31 RDNA 3</a> (Radeon RX 7000 series) : 58 milliards</li></ul>

<a href="Serveur_informatique" title="Serveur informatique">Serveurs</a> :

<ul><li><a href="1993" title="1993">1993</a> : <a href="IBM" title="IBM">IBM</a> <a href="IBM_POWER#Le_POWER2" title="IBM POWER">POWER2</a> : 15 millions</li>

<li><a href="1998" title="1998">1998</a> : IBM <a href="POWER3" title="POWER3">POWER3</a> : 15 millions</li>

<li><a href="2001" title="2001">2001</a> : IBM <a href="POWER4" title="POWER4">POWER4</a> : 174 millions</li>

<li><a href="2004" title="2004">2004</a> : IBM <a href="POWER5" title="POWER5">POWER5</a> : 276 millions</li>

<li><a href="2007" title="2007">2007</a> : IBM <a href="POWER6" title="POWER6">POWER6</a> : 90 millions</li>

<li><a href="2008" title="2008">2008</a> : <a href="Architecture_SPARC" title="Architecture SPARC">SPARC64 VII</a> : 600 millions</li>

<li><a href="2010" title="2010">2010</a> : IBM <a href="POWER7" title="POWER7">POWER7</a> : 1,2 milliard</li>

<li><a href="2010" title="2010">2010</a> : <a href="Xeon" title="Xeon">Xeon</a> (8 <a href="Microprocesseur_multi-c%C5%93ur" title="Microprocesseur multi-cœur">cœurs</a>) : 2,3 milliards</li>

<li><a href="2015" title="2015">2015</a> : <a href="Xeon" title="Xeon">Xeon</a> (18 cœurs) : 5,6 milliards</li>

<li><a href="2019" title="2019">2019</a> : <a href="Ryzen" title="Ryzen">AMD Threadripper 3990X</a> (64 coeurs) : 23,25 milliards</li></ul>

</td></tr></tbody></table>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Notes_et_références">Notes et références</h2></div>

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Notes">Notes</h3></div>

<li id="cite_note-4"><a href="#cite_ref-4">↑</a> Comme souvent en histoire des sciences, la paternité de cette découverte est parfois remise en cause, pour être attribuée à <a href="Julius_Edgar_Lilienfeld" title="Julius Edgar Lilienfeld">Julius Edgar Lilienfeld</a> qui, en 1925, avait déjà découvert le principe du transistor à effet de champ. Cependant, Bardeen, Shockley et Brattain restent universellement reconnus comme les pères de cette invention, parce qu'ils ont effectivement fabriqué le premier transistor.

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<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Références">Références</h3></div>

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<li id="cite_note-20"><a href="#cite_ref-20">↑</a> <abbr class="abbr indicateur-langue" title="Langue : anglais">(en)</abbr> Fan Wu, He Tian, Yang Shen et Zhan Hou, « <cite style="font-style:normal" lang="en">Vertical MoS2 transistors with sub-1-nm gate lengths</cite> », Nature, <abbr class="abbr" title="volume">vol.</abbr> 603, <abbr class="abbr" title="numéro">no</abbr> 7900,‎ <time class="nowrap" datetime="2022-03-10" data-sort-value="2022-03-10">10 mars 2022</time>, <abbr class="abbr" title="pages">p.</abbr> 259–264 (<a href="International_Standard_Serial_Number" title="International Standard Serial Number">ISSN</a> <a rel="nofollow" class="external text" href="https://portal.issn.org/resource/issn/0028-0836">0028-0836</a> et <a rel="nofollow" class="external text" href="https://portal.issn.org/resource/issn/1476-4687">1476-4687</a>, <a href="Digital_Object_Identifier" title="Digital Object Identifier">DOI</a> <a rel="nofollow" class="external text" href="https://dx.doi.org/10.1038/s41586-021-04323-3">10.1038/s41586-021-04323-3</a>, <a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.nature.com/articles/s41586-021-04323-3">lire en ligne</a>, consulté le <time class="nowrap" datetime="2022-03-11" data-sort-value="2022-03-11">11 mars 2022</time>)<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Ajournal&rft.genre=article&rft.atitle=Vertical+MoS2+transistors+with+sub-1-nm+gate+lengths&rft.jtitle=Nature&rft.issue=7900&rft.aulast=Wu&rft.aufirst=Fan&rft.au=Tian%2C+He&rft.au=Shen%2C+Yang&rft.au=Hou%2C+Zhan&rft.date=2022-03-10&rft.volume=603&rft.pages=259%E2%80%93264&rft.issn=0028-0836&rft_id=info%3Adoi%2F10.1038%2Fs41586-021-04323-3&rfr_id=info%3Asid%2Ffr.wikipedia.org%3ATransistor">.

</li>

<li id="cite_note-21"><a href="#cite_ref-21">↑</a> <abbr class="abbr indicateur-langue" title="Langue : anglais">(en)</abbr> « <a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.techpowerup.com/gpu-specs/nvidia-ga102.g930"><cite style="font-style:normal;" lang="en">NVIDIA GA102 GPU Specs</cite></a> », sur TechPowerUp (consulté le <time class="nowrap" datetime="2020-11-26" data-sort-value="2020-11-26">26 novembre 2020</time>)

</li>

</ol></div>

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<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Annexes">Annexes</h2></div>

/* start https://fr.wikipedia.org/ */

.mw-parser-output .autres-projets>.titre{text-align:center;margin:0.2em 0}.mw-parser-output .autres-projets>ul{margin:0;padding:0}.mw-parser-output .autres-projets>ul>li{list-style:none;margin:0.2em 0;text-indent:0;padding-left:24px;min-height:20px;text-align:left;display:block}.mw-parser-output .autres-projets>ul>li>a{font-style:italic}@media(max-width:720px){.mw-parser-output .autres-projets{float:none}}

/* end https://fr.wikipedia.org/ */

</style>

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Articles_connexes">Articles connexes</h3></div>

<ul><li><a href="Transistor_Darlington" title="Transistor Darlington">Transistor Darlington</a></li>

<li><a href="Junction_Field_Effect_Transistor" title="Junction Field Effect Transistor">Transistor JFET</a></li>

<li><a href="Transistor_bipolaire" title="Transistor bipolaire">Transistor bipolaire</a></li>

<li><a href="Transistor_%C3%A0_effet_de_champ_%C3%A0_grille_m%C3%A9tal-oxyde" title="Transistor à effet de champ à grille métal-oxyde">MOSFET</a></li>

<li><a href="Electrolyte_Oxide_Semiconductor_Field_Effect_Transistor" title="Electrolyte Oxide Semiconductor Field Effect Transistor">EOSFET</a></li>

<li><a href="Loi_de_Moore" title="Loi de Moore">Loi de Moore</a></li>

<li><a href="TRADIC" title="TRADIC">TRADIC</a>, premier ordinateur à transistors</li>

<li><a href="Microprocesseur" title="Microprocesseur">Microprocesseur</a></li></ul>

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Liens_externes">Liens externes</h3></div>

<li>Ressource relative à la santé : <ul><li><a rel="nofollow" class="external text" href="https://meshb.nlm.nih.gov/record/ui?ui=D014173">Medical Subject Headings</a></li> </ul> </li>

<li><div class="liste-horizontale">Notices dans des dictionnaires ou encyclopédies généralistes : <ul><li><a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.britannica.com/technology/transistor">Britannica</a></li> <li><a rel="nofollow" class="external text" href="https://denstoredanske.lex.dk//transistor/">Den Store Danske Encyklopædi</a></li> <li><a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.treccani.it/enciclopedia/transistore_(Enciclopedia-Italiana)/">Enciclopedia italiana</a></li> <li><a rel="nofollow" class="external text" href="http://www.sapere.it/enciclopedia/transist%C3%B3re%2Bo%2Btrans%C3%ACstor.html">Enciclopedia De Agostini</a></li> <li><a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.enciclopedia.cat/EC-GEC-0239783.xml">Gran Enciclopèdia Catalana</a></li> <li><a rel="nofollow" class="external text" href="https://snl.no/transistor">Store norske leksikon</a></li> <li><a rel="nofollow" class="external text" href="http://www.treccani.it/enciclopedia/transistore">Treccani</a></li> </ul></div></li>

<li><div class="liste-horizontale"><a href="Autorit%C3%A9_(sciences_de_l'information)" title="Autorité (sciences de l'information)">Notices d'autorité</a> : <ul><li><a rel="nofollow" class="external text" href="https://catalogue.bnf.fr/ark:/12148/cb11933621t">BnF</a> (<a rel="nofollow" class="external text" href="https://data.bnf.fr/ark:/12148/cb11933621t">données</a>)</li> <li><a rel="nofollow" class="external text" href="http://id.loc.gov/authorities/sh85136935">LCCN</a></li> <li><a rel="nofollow" class="external text" href="http://d-nb.info/gnd/4060646-6">GND</a></li> <li><a rel="nofollow" class="external text" href="https://id.ndl.go.jp/auth/ndlna/00573299">Japon</a></li> <li><a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.nli.org.il/en/authorities/987007546113905171">Israël</a></li> <li><a rel="nofollow" class="external text" href="https://aleph.nkp.cz/F/?func=find-c&local_base=aut&ccl_term=ica=ph126722">Tchéquie</a></li> </ul></div></li>

<li><a rel="nofollow" class="external text" href="http://www.sitelec.org/cours/bonnet/transistorbipolaire.htm">Transistor bipolaire</a></li>

<li><a rel="nofollow" class="external text" href="http://www.sitelec.org/cours/bonnet/transistoreffetchamp.htm">Transistor à effet de champ (FET)</a></li>

<li><a rel="nofollow" class="external text" href="http://www.polytech-lille.fr/cours-atome-circuit-integre/unip/unip800.htm">Transistor à effet de champ à grille isolée -Transistor M.O.S.</a></li>

<li><abbr class="abbr indicateur-format format-pdf" title="Document au format Portable Document Format (PDF)">[PDF]</abbr> <a rel="nofollow" class="external text" href="http://pagesperso-orange.fr/avrj.cours/Cours/SE_004_Thyristors.pdf">Transistor unijonction</a></li>

<li>Armand Van Dormael « The French Transistor » (<a rel="nofollow" class="external text" href="http://www.ieeeghn.org/wiki/images/e/e6/VanDormael.pdf">lire en ligne</a>) <abbr class="abbr indicateur-format format-pdf" title="Document au format Portable Document Format (PDF)">[PDF]</abbr> — <cite style="font-style:normal">« (ibid.) »</cite>, dans <cite class="italique">Proceedings of the 2004 IEEE Conference on the History of Electronics, Bletchley Park, June 2004</cite><span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rft.genre=bookitem&rft.btitle=Proceedings+of+the+2004+IEEE+Conference+on+the+History+of+Electronics%2C+Bletchley+Park%2C+June+2004&rft.atitle=%27%27%28ibid.%29%27%27&rfr_id=info%3Asid%2Ffr.wikipedia.org%3ATransistor"></li>

<li><abbr class="abbr indicateur-langue" title="Langue : anglais">(en)</abbr> Michael Riordan, « <cite style="font-style:normal" lang="en">How Europe Missed the Transistor</cite> », <a rel="nofollow" class="external text" href="http://spectrum.ieee.org/nov05/2155">IEEE Spectrum</a>, <abbr class="abbr" title="volume">vol.</abbr> 42, <abbr class="abbr" title="numéro">no</abbr> 11,‎ <time class="nowrap" datetime="2005-11" data-sort-value="2005-11">novembre 2005</time>, <abbr class="abbr" title="pages">p.</abbr> 52–57 (<a href="International_Standard_Serial_Number" title="International Standard Serial Number">ISSN</a> <a rel="nofollow" class="external text" href="https://portal.issn.org/resource/issn/0018-9235">0018-9235</a>)<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Ajournal&rft.genre=article&rft.atitle=How+Europe+Missed+the+Transistor&rft.jtitle=IEEE+Spectrum&rft.issue=11&rft.aulast=Riordan&rft.aufirst=Michael&rft.date=2005-11&rft.volume=42&rft.pages=52%E2%80%9357&rfr_id=info%3Asid%2Ffr.wikipedia.org%3ATransistor"></li>

<li><abbr class="abbr indicateur-langue" title="Langue : anglais">(en)</abbr> ON Semiconductor Application Notes 1628 : <a rel="nofollow" class="external text" href="http://www.onsemi.com/pub/Collateral/AN1628-D.PDF">Understanding Power Transistors Breakdown Parameters</a> <abbr class="abbr indicateur-format format-pdf" title="Document au format Portable Document Format (PDF)">[PDF]</abbr></li></ul>

</div>

<ul id="bandeau-portail" class="bandeau-portail"><li> Portail de l’électricité et de l’électronique </li> <li> Portail des micro et nanotechnologies </li> <li> Portail des technologies </li> </ul></div><div><div class="zim-footer">

Cet article est issu de <a class="external text" title="Dernière modification le 2025-09-19" href="https://fr.wikipedia.org/wiki/?title=Transistor&oldid=229081865">Wikipédia</a>. Sauf mention contraire, le texte est disponible sous <a class="external text" href="https://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/deed.fr">Creative Commons Attribution-Share Alike 4.0</a>. Des conditions supplémentaires peuvent s’appliquer aux fichiers multimédias.

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